4月8日消息，供應工藝根據供應鏈消息，鏈消臺積電將如期在2025年上線2nm生產工藝。臺積準格爾旗qm消息還表示，期年臺積電計劃在2026年推出N2P工藝。上線

供應鏈消息稱臺積電的年推2nm工藝布局如期推進，2025年下半年在新竹市寶山鄉進入量產。供應工藝在2nm工藝量產1年之后，鏈消臺積電將推出采用背面供電網絡（BSPDN）技術的臺積準格爾旗qmN2P工藝。

2nm芯片是期年臺積電的一個重大節點，該工藝將會采用納米片晶體管（Nanosheet），上線取代鰭式場效應晶體管（FinFET），年推這意味著臺積電工藝正式進入GAA晶體管時代。供應工藝其中，鏈消2nm芯片相較于3nm芯片，臺積在相同功耗下，速度快10~15%。在相同速度下，功耗降低25~30%。